第一八零章 FinFET工艺
王岸然无心公司的日常事务，每一项决策都是选择题，虽然有前世的见识，大部分他可以很容易选出最佳的答案。
不过在人事，销售，团队培养，金融等各方面，他还是小白的存在。
事实上王岸然前世一直没有企业管理的经验，虽然混上了AMD的高层，但也仅仅是技术大拿。
相比于坐在办公室签字，他更喜欢留在实验室内，解决一个接着一个的技术难题。
此刻，最让他感兴趣的，莫过于芯片制造。
华芯科技的芯片加工厂已经进行了生产调试，三条生产线的表现有所差异。
来自东芝的芯片生产线，试生产的良品率就达到了60%以上，而IBM的生产线，良品率也达到了40%以上。
技术人员已经严格按操作规程作业，但要知道，芯片生产几百道工序，每道工序即便达到99%的成功率，累计到300个指数等级下去，良品率将不足0.1%。
所以每一道工序必须保证99.999999……%的准确率。
可想而知，要保证良品率，得需要付出多大的努力。
在东芝技术人员的帮助下，对Intel转让的金属铝物理气相沉积技术进行改进，效果出人意料的好。
为此，王岸然还和东芝签定了补充协议，以五百万美元的代价，邀请东芝的技术人员帮忙消化Intel的技术。
事实上，王岸然非常喜欢和东芝这样的公司打交道，只要有钱，总能在尽可能程度上满足你的需求，而且不折不扣。
现在的东芝日子可不好过，因为卖给苏联五轴联动机床的事，到现在老美都不愿意放过他，东芝的产品在美国是不允许售卖的，要知道这个时候的美国，是全世界半导体最大的市场，直接砍断，对东芝的影响力可谓空前。
再加上美利坚的小弟英格兰，为了表现自己对老大的衷心，带头对东芝进行封杀，还煽动英联邦的成员对东芝进行制裁。
一时间，东芝损失了全球大半的市场，以至于每年的财报上都是一长串的赤字。
与华芯科技的合作，总共可是涉及了上亿美元，这是大生意，对现在的东芝而言，尤为重要。
而且金属铝连接技术可是你Intel转让的，跟东芝可没关系，东芝要做的，就是当一个老师，把华芯科技的技术人员教会该怎么使用。
两家公司一拍即合，顺利达成意向。
当然如果这么简单，华芯科技这五百万美元，花的可就有点冤枉了，成套的铝金属连接技术，只要花时间，总能得到解决。
在王岸然的办公室，东芝的技术代表桥本龟太郎，鞠躬鞠的王岸然头晕。
“岸然君，贵方要求的，与东芝公司成立合作研究机构，致力于半导体芯片加工中，金属铜物理气相沉积PDV的研究，已经得到公司的审批，东芝公司非常愿意跟华芯公司展开更深入的合作。”
王岸然站起身来，跟桥本龟太郎热情的握了握手。
这项合作可是花了华芯科技三十四条专利授权，加上1000万美金的技术服务费才达成的。
价值人民币上亿，贵可能贵了点，不过王岸然认为有价值，这就已经足够了。
于此同时，浸入式光刻与双工台的研究也开始进入日程，让王岸然苦恼的是，他找不到合适的技术带头人，所以一直无法推进。
不过另一项与浸入式光刻齐名的FinFET生产工艺，王岸然觉的大有可为。
FinField_EffectTransistor鳍式场效应晶体管，相比与MOS晶体管而言，这是一款新型的晶体管模式。
是有华人科学家胡正明教授提出，并建立了系统的数学模型。
特点是工艺不变的情况下，可以在相同的面积内塞进更多的晶体管，而且漏电量和功耗同步大幅度降低。
FinFET技术在9102年已经相当成熟，他本是Intel于2011年第一次推出，用于22纳米制造工艺上的第三代酷睿处理器上，随后大部分的半导体厂家开始加入到FinFET工艺阵营当中。
技术难度比起普通的MOS有所提高，工艺上也增加了几十道光、蚀刻、清洗、填塞、气相沉积过程。
对华芯科技而言，技术难点就是材料的物理气相沉积PDV技术，以及堆叠薄膜镀层保护和蚀刻技术。
相比沉浸式光刻技术以及双工台技术的难度而言，FinFET技术犹如小学生的作业题，在现有的技术条件下就可以完成。
加上自对准双重成像技术SADP，一旦得到攻克，王岸然有信心在不调整硬件的基础上，实现800纳米制造工艺的突破，并将芯片的集成度达到320纳米制造工艺的程度。
研究课题的确认，需要理论方面的支持，基于FinFET工艺的BSIM数学模型有现实的指导意义。
9102年，如果说一个芯片底层硬件逻辑电路工程师，对BSIM不了解，那他肯定是混日子的。
BSIM逻辑电路设计模型在基于FinFET工艺中的作用不可替代，王岸然自然不陌生，甚至他可以清晰的记得数学模型中每一个参数的设置。
不过就这样堂而皇之的拿出来，多有不方便之处。
为此王岸然专门成立了FinFET专用研究实验室，召集了包括季小青、胡正旻、刘赫在内的一大帮华芯科技的基干力量。
“大家很清楚，我们的制造工艺，比起国际上主流的制造工艺落后了两到三代，比起国外最新的尖端研究，那不知道落后多少代了。
今天我召集大家来到这里，就是要开展一项FinFET工艺的开发，我可以很自豪的告诉大家，在这方面，我们走到了全世界的前列。”
王岸然的话成功了煽动了大家的热情，对于大多人人来说，对Fin并不陌生，关于场鳍效应的论文在国际上并不新鲜。
可以在这项新的理论模型下，进行实际应用的研究，也是一件令人振奋的事。
就在王岸然正在埋头进行FinFET工艺模型架构的创建之时，一则消息打破了他的平静。
“王总，德州仪器CEO安德森已经抵达了燕京，他希望就合作事宜，尽快与你进行会面。”
合作！拿技术来合作啊，华芯科技肯定比你想象中的更有诚意。
王岸然点点头，对张磊说道：“联系技术部，雷总，明天上午九点开会，这次我们要好好讨论一下，该要点什么？”
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不过在人事，销售，团队培养，金融等各方面，他还是小白的存在。
事实上王岸然前世一直没有企业管理的经验，虽然混上了AMD的高层，但也仅仅是技术大拿。
相比于坐在办公室签字，他更喜欢留在实验室内，解决一个接着一个的技术难题。
此刻，最让他感兴趣的，莫过于芯片制造。
华芯科技的芯片加工厂已经进行了生产调试，三条生产线的表现有所差异。
来自东芝的芯片生产线，试生产的良品率就达到了60%以上，而IBM的生产线，良品率也达到了40%以上。
技术人员已经严格按操作规程作业，但要知道，芯片生产几百道工序，每道工序即便达到99%的成功率，累计到300个指数等级下去，良品率将不足0.1%。
所以每一道工序必须保证99.999999……%的准确率。
可想而知，要保证良品率，得需要付出多大的努力。
在东芝技术人员的帮助下，对Intel转让的金属铝物理气相沉积技术进行改进，效果出人意料的好。
为此，王岸然还和东芝签定了补充协议，以五百万美元的代价，邀请东芝的技术人员帮忙消化Intel的技术。
事实上，王岸然非常喜欢和东芝这样的公司打交道，只要有钱，总能在尽可能程度上满足你的需求，而且不折不扣。
现在的东芝日子可不好过，因为卖给苏联五轴联动机床的事，到现在老美都不愿意放过他，东芝的产品在美国是不允许售卖的，要知道这个时候的美国，是全世界半导体最大的市场，直接砍断，对东芝的影响力可谓空前。
再加上美利坚的小弟英格兰，为了表现自己对老大的衷心，带头对东芝进行封杀，还煽动英联邦的成员对东芝进行制裁。
一时间，东芝损失了全球大半的市场，以至于每年的财报上都是一长串的赤字。
与华芯科技的合作，总共可是涉及了上亿美元，这是大生意，对现在的东芝而言，尤为重要。
而且金属铝连接技术可是你Intel转让的，跟东芝可没关系，东芝要做的，就是当一个老师，把华芯科技的技术人员教会该怎么使用。
两家公司一拍即合，顺利达成意向。
当然如果这么简单，华芯科技这五百万美元，花的可就有点冤枉了，成套的铝金属连接技术，只要花时间，总能得到解决。
在王岸然的办公室，东芝的技术代表桥本龟太郎，鞠躬鞠的王岸然头晕。
“岸然君，贵方要求的，与东芝公司成立合作研究机构，致力于半导体芯片加工中，金属铜物理气相沉积PDV的研究，已经得到公司的审批，东芝公司非常愿意跟华芯公司展开更深入的合作。”
王岸然站起身来，跟桥本龟太郎热情的握了握手。
这项合作可是花了华芯科技三十四条专利授权，加上1000万美金的技术服务费才达成的。
价值人民币上亿，贵可能贵了点，不过王岸然认为有价值，这就已经足够了。
于此同时，浸入式光刻与双工台的研究也开始进入日程，让王岸然苦恼的是，他找不到合适的技术带头人，所以一直无法推进。
不过另一项与浸入式光刻齐名的FinFET生产工艺，王岸然觉的大有可为。
FinField_EffectTransistor鳍式场效应晶体管，相比与MOS晶体管而言，这是一款新型的晶体管模式。
是有华人科学家胡正明教授提出，并建立了系统的数学模型。
特点是工艺不变的情况下，可以在相同的面积内塞进更多的晶体管，而且漏电量和功耗同步大幅度降低。
FinFET技术在9102年已经相当成熟，他本是Intel于2011年第一次推出，用于22纳米制造工艺上的第三代酷睿处理器上，随后大部分的半导体厂家开始加入到FinFET工艺阵营当中。
技术难度比起普通的MOS有所提高，工艺上也增加了几十道光、蚀刻、清洗、填塞、气相沉积过程。
对华芯科技而言，技术难点就是材料的物理气相沉积PDV技术，以及堆叠薄膜镀层保护和蚀刻技术。
相比沉浸式光刻技术以及双工台技术的难度而言，FinFET技术犹如小学生的作业题，在现有的技术条件下就可以完成。
加上自对准双重成像技术SADP，一旦得到攻克，王岸然有信心在不调整硬件的基础上，实现800纳米制造工艺的突破，并将芯片的集成度达到320纳米制造工艺的程度。
研究课题的确认，需要理论方面的支持，基于FinFET工艺的BSIM数学模型有现实的指导意义。
9102年，如果说一个芯片底层硬件逻辑电路工程师，对BSIM不了解，那他肯定是混日子的。
BSIM逻辑电路设计模型在基于FinFET工艺中的作用不可替代，王岸然自然不陌生，甚至他可以清晰的记得数学模型中每一个参数的设置。
不过就这样堂而皇之的拿出来，多有不方便之处。
为此王岸然专门成立了FinFET专用研究实验室，召集了包括季小青、胡正旻、刘赫在内的一大帮华芯科技的基干力量。
“大家很清楚，我们的制造工艺，比起国际上主流的制造工艺落后了两到三代，比起国外最新的尖端研究，那不知道落后多少代了。
今天我召集大家来到这里，就是要开展一项FinFET工艺的开发，我可以很自豪的告诉大家，在这方面，我们走到了全世界的前列。”
王岸然的话成功了煽动了大家的热情，对于大多人人来说，对Fin并不陌生，关于场鳍效应的论文在国际上并不新鲜。
可以在这项新的理论模型下，进行实际应用的研究，也是一件令人振奋的事。
就在王岸然正在埋头进行FinFET工艺模型架构的创建之时，一则消息打破了他的平静。
“王总，德州仪器CEO安德森已经抵达了燕京，他希望就合作事宜，尽快与你进行会面。”
合作！拿技术来合作啊，华芯科技肯定比你想象中的更有诚意。
王岸然点点头，对张磊说道：“联系技术部，雷总，明天上午九点开会，这次我们要好好讨论一下，该要点什么？”
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